再突破！西安紫光国芯技术创新成果斩获陕西省科技进步奖

4月9日，陕西省人民政府发布《陕西省人民政府关于2023年度陕西省科学技术奖励的决定》，西安紫光国芯SeDRAM®技术成果“三维异质集成高带宽低功耗动态随机存储器芯片关键技术及应用”荣获陕西省科学技术进步奖二等奖，成为少数几个完全由企业自主研发的获奖项目之一。

针对当前计算体系架构中普遍存在的处理器与存储器性能不平衡的“存储墙”困境，西安紫光国芯创新性地提出了一种三维异质集成DRAM架构。该架构显著提高了访存带宽，降低了单位比特能耗，使得访存效率获得大幅提升，为海量数据搬运速度慢、搬运能耗大的性能瓶颈提供了领先的解决方案。

“计算机、手机等设备的处理器和存储器之间有着大量的数据交换，就像我们生活中两个近邻城市之间有着大量的车辆往来，但常常因为各种道路条件的限制而出现通勤低效的问题，比如两者之间没有高速路，或是要通过高速-国道-省道等组合才能通勤。当前很多情况下，处理器和存储器之间的大量数据交换也面临着类似的严重的‘通勤问题’，技术人员一直在为解决这个问题而努力。”西安紫光国芯总经理江喜平说，三维堆叠嵌入式DRAM技术通过在垂直方向堆叠计算单元和存储单元来实现两者的高密度直接互连，用超大带宽存储技术来解决处理器和存储器之间的数据交换问题，就像在两座近邻城市之间修建了宽阔的直连高速，有效解决了数据交换时的“通勤问题”，让计算机、手机等设备拥有更好的性能。

世界领先嵌入式DRAM技术

本次评选中，由业界权威专家组成的成果评价委员会对该技术的先进性和创新性给予了高度评价，并一致认为该技术“整体达到国际先进水平，为国产化高性能计算芯片的发展提供了新思路”。

据了解，过去5年里，西安紫光国芯的SeDRAM技术一直处于行业领先水平，在大带宽、高算力等领域表现出显著的竞争优势。围绕该技术成果，西安紫光国芯已布局超百项相关专利，实现了产品化、规模化应用，多款采用西安紫光国芯SeDRAM技术的芯片产品实现大规模量产，累计出货超百万颗，取得了良好的市场反响，创造了超十亿的经济效益，受到产业界广泛关注。

值得重点关注的是，作为一种超大带宽、超低功耗的大容量片内存储解决方案，SeDRAM技术在人工智能大模型以及高性能计算芯片等应用领域有着独特的技术及性能优势，未来几年，预计将会有多款相关产品进入市场。

集成电路产业是电子信息产业的核心,是支撑国家经济社会发展的战略性、基础性、先导性产业，也是我国当前需要重点突破的关键领域之一。江喜平表示：“西安紫光国芯将凭借其丰富的技术积累和资源优势，进一步发挥SeDRAM架构大带宽和低功耗的核心优势，不断推出更先进的产品和技术解决方案，深入挖掘并探索该技术在人工智能等前沿领域中的创新性应用场景，为集成电路行业发展提供坚实的技术支持和推动力”。（高新融媒记者 张静攀）

来源：西安高新

编辑：赵佳欣

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审核：姚启明